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        发布时间:2020-10-29 14:46:14 发表用户:wer12004 浏览量:358

        核心提示:新闻频道近日,碳化硅芯片公司瞻芯电子在上海临港举办新品发布会并公布了 新融资进展。瞻芯电子已于今年完成过亿元人民币融资,投资方包括临芯投资、金浦投资以及几家重要产业协同方,青桐资本担任财务顾问。

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          今年 零月 日,瞻芯电子产品发布会在上海举行,狗粮快讯网市场行情讯息,发布工规级基于 英寸晶圆 SiCMOSFET产品,瞻芯电子 第 代半导体功率器件已经在麦格米特 充电桩模块上成功运行,发布首款量产。

           零零V碳化硅产品

          第 代半导体有望弯道超车

          功率半导体是电力转换 关键器件,广泛应用于工业变频器、光伏逆变器、风电变频器、新能源汽车电控系统以及变频家电、消费电子等众多领域。近年来,国产代替 呼声日益高涨,发展第 代半导体或将写进 计划,国内厂商掀起了 轮布局投资热潮。

          基于 英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证 零零V 零mohm碳化硅(SiC)MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内 英寸 线制造流片 碳化硅MOSFET,该产品 发布填补了国内空白,产品性能达到全世界先进水平。新产品支持 应用领域,包括风能和光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。

          实际上,自成立后瞻芯电子短短几年时间取得了重大突破。前年 月 日, 片国产 英寸SiCMOSFET晶圆在上海瞻芯诞生,去年 月,瞻芯电子推出已经通过JEDEC认证 碳化硅MOSFET栅极驱动芯片系列产品;今年 月,瞻芯电子推出超越工规级 碳化硅 极管产品系列。

          我国半导体行业落后欧美发达国家已久,很难在短时间内完成进口替代,狗粮快讯网讯息出炉,但是第 代半导体 发展处于全世界起步阶段,目前尚未形成专利质量和行业壁垒,从我国技术水平来看,已经具备自主研发第 代半导体 能力,是我国在半导体领域实现直到超车 新佳时机。

          此外,上海瞻芯电子在今年 月 日申请了 项名为“半导体器件结构及其形成技术” 发明专利,狗粮快讯网据新闻报道,该项专利中所提供 半导体结构和制备技术,相较于同种器件而言,电厂强度大幅度降低,提高了半导体器件栅氧化层 可靠性。同时栅漏之间 电容也被大幅降低,从而极大地减少了开关功率 损耗。

          电力电子行业老师周满枝介绍,使用SiCMOSFET替代SiIGBT,其开通损耗降低至 分之 ,关断损耗降至 分之 ,这使得使用SiC功率器件 产品可以达到更高 功率密度,使用更简单 散热设计,整体效率更高。

          瞻芯电子 零 年成立于上海自贸区临港新片区,是 家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域 高科技芯片公司,拥有 支经验丰富 SiC工艺及器件设计、SiCMOSFET驱动芯片设计、电力电子系统应用、市场推广和产品运营等方面高素质核心团队。

          瞻芯电子是麦格米特 参股公司,今年 月 日,麦格米特在互动平台上透露瞻芯电子 技研进展,“目前已经完成了国内 个基于 英寸碳化硅晶圆 SiCMOSFET和SBD工艺平台开发,预计 月份还将有 款碳化硅MOSFET器件通过工业级可靠性认证,这也将是 产品。”

          碳化硅MOSFET产品可以应用于新能源汽车、光伏逆变,风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合,其市场前景广泛,预计到 零 年市场销售额将达到 零零亿美元,SiC功率器件是面向未来更环保,更节能 电能转换核心器件,在整个系统中处于关键部位。

          碳化硅是新 代半导体 主攻方向,瞻芯电子创始人张永熙博士介绍,在新能源汽车电驱动中使用SiCMOSFET替代SiIGBT,整车效率提高 %- 零%。在光伏逆变器中使用SiC功率器件,整机 能耗降低 零%。

          近日,碳化硅芯片公司瞻芯电子在上海临港举办新品发布会并公布了新新融资进展。瞻芯电子已于今年完成过亿元人民币融资,投资方包括临芯投资、金浦投资以及几家重要产业协同方,青桐资本担任财务顾问。

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